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- 型号： MRF6S21190HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21190HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21190HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21190HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21190HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21190HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21190HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计，典型应用于蜂窝通信基站的功率放大器（PA）模块。其主要应用场景包括： - 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站发射链路：支持高效率、高线性度的宽带信号放大（如20 MHz–100 MHz带宽），适用于宏基站和中型基站的末级功放； - WCDMA/HSPA+ 和 TD-LTE 系统：满足高PAR（峰均比）信号（如OFDM、DFT-s-OFDM）的线性放大需求，配合DPD（数字预失真）技术实现优异ACLR性能； - 工业/科研射频源：在2.1 GHz频段的测试仪器、雷达模拟器或EMC抗扰度测试系统中用作固态射频功率源； - 广播与专网通信：适用于部分宽带无线接入系统（如WiMAX演进型或专用无线图传系统）的高可靠性发射单元。 该器件采用陶瓷封装（H-37268-2），支持连续波（CW）及脉冲工作模式，额定输出功率达190 W（典型P1dB），具备高增益（≥16 dB）、高漏极效率（>55% @ P1dB）和良好热稳定性，需配合匹配电路与高效散热设计使用。不适用于消费类终端（如手机）或低功率小信号场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 54W NI880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21190HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 54W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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