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- 型号： MRF6S21190HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21190HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21190HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21190HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21190HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21190HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21190HR3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：2110–2170 MHz），常用于 3G/4G LTE 基站的末级功率放大器（PA）。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站：广泛应用于宏基站（Macrocell）和分布式基站（RRU）中的射频功率放大模块，支持高线性度、高效率（典型漏极效率 >55% @ 2.14 GHz）的连续波（CW）或调制信号（如 OFDMA、64-QAM）放大。 - 多载波宽带系统：具备优异的ACLR（邻道泄漏比）性能，适用于多载波WCDMA/LTE系统，在2×20 MHz带宽下仍可满足3GPP严苛线性指标。 - 工业与专用无线系统：可用于公共安全通信（如TETRA增强型）、小型化微基站（Micro/Pico Cell）及有源天线单元（AAU）中的射频前端。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持高功率输出（典型Pout = 190 W @ 2.14 GHz, 28 V），并集成ESD保护与热稳定性设计，适用于高可靠性、长时间连续运行的通信基础设施场景。不适用于消费类低功耗设备或DC/低频开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 54W NI880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21190HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 54W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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