Datasheet下载- 型号： MRF6S21140HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21140HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21140HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21140HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21140HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21140HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21140HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1/2/25等）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站（Macrocell）和中继站的末级射频功放模块，支持高输出功率（连续波下可达140 W，脉冲/平均功率满足LTE多载波信号需求），具备高增益（>18 dB）和高效率（典型PAE >60%）。 - 无线通信基础设施：适用于4G LTE及向5G演进中的兼容系统，尤其适合需宽瞬时带宽、高线性度与优异热稳定性的场景；支持数字预失真（DPD）技术以满足ACLR等严苛线性指标。 - 工业与专用无线系统：如公共安全通信（TETRA/LMR）、宽带无线接入（WiMAX遗留系统）及小型化分布式基站（Remote Radio Head, RRH）中的高可靠性射频前端。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），集成源极接地结构，优化热传导与高频匹配，支持高VSWR耐受能力（10:1），提升系统鲁棒性。需配合NXP推荐的匹配网络与偏置电路使用，适用于Class AB或Envelope Tracking（ET）工作模式。 （注：该型号已进入NXP产品寿命终止（EOL）流程，新设计建议评估替代型号如MRF6S21190HR6。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 30W NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21140HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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