【未分类_MRF6S21060MR1】封装/厂家_MRF6S21060MR1中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MRF6S21060MR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21060MR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21060MR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21060MR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6S21060MR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21060MR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6S21060MR1 是 NXP（恩智浦）推出的 LDMOS 射频功率晶体管，属于晶体管 – FET，MOSFET – 射频类别。该器件专为 2.1–2.2 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE-FDD 和 5G Sub-6 GHz 基站）设计，典型工作频率覆盖 2110–2170 MHz。

主要应用场景包括：  
• 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：用于宏基站和微基站的末级射频功放模块，支持高线性度、高效率（典型漏极效率达 55% @ 2.14 GHz），满足 4G LTE 和 5G NR 的ACLR与EVM指标要求；  
• 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、有源天线单元（AAU）及小基站（Small Cell）中的宽带射频发射链路；  
• 工业/科研射频源：在医疗射频消融、等离子体发生器或测试仪器中作为稳定可靠的中功率射频信号放大单元（连续波输出可达 60 W，脉冲模式更高）。

其封装为 TO-270WB-4（金属陶瓷气密封装），具备优异热稳定性与可靠性，支持高增益（约 18 dB @ 2.14 GHz）和宽电源电压范围（28 V 标称），适用于需长期连续运行的通信基础设施场景。注意：该器件需配合匹配电路、散热器及偏置保护电路使用，不适用于消费类低功耗设备。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S21060MR1
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-270 WB-4
功率-输出	14W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	15.5dB
封装/外壳	TO-270-4
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	610mA
频率	2.11GHz
额定电流	10µA