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- 型号： MRF6S21060MBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21060MBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21060MBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21060MBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21060MBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21060MBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21060MBR1 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（如 PCS/UMTS/WCDMA/LTE 基站的 2100 MHz 频段），典型应用为蜂窝通信基站的末级功率放大器（PA）。该器件采用气腔封装（Metal-Ceramic），具备高增益（约17 dB）、高效率（典型漏极效率达65% @ 2.14 GHz）和优异的线性度与热稳定性，支持宽带连续波（CW）及复杂调制信号（如OFDM、W-CDMA、LTE 20 MHz 8T8R）的高效放大。主要应用场景包括：宏基站（Macrocell）和微基站（Microcell）的射频功放模块；多载波、多标准（LTE-FDD/TDD、WCDMA）基站发射链路；分布式天线系统（DAS）和有源天线单元（AAU）中的射频前端；以及小功率远程射频单元（RRU）。其“BR1”后缀表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。需配合匹配电路、偏置网络及散热设计（建议安装于铜基板或散热器上）以发挥最佳性能。不适用于低频开关电源或数字逻辑开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21060MBR1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 610mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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