| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21050LSR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21050LSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21050LSR5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF6S21050LSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF6S21050LSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF6S21050LSR5的射频MOSFET晶体管,由NXP USA Inc.生产,主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在2.1GHz左右的无线通信系统,如4G LTE基站、无线基础设施、工业和医疗射频设备等。 MRF6S21050LSR5具有高功率增益、良好的线性度和高效率,能够在较宽的频率范围内稳定工作,适合用于多载波通信系统中的射频功率放大器设计。此外,其封装设计支持高功率输出,具备良好的热稳定性和可靠性,适合长时间运行的通信设备使用。 该器件常用于基站功率放大模块中,作为主放大器或驱动放大器,支持高效能、高稳定性的无线信号传输。也适用于广播系统、测试设备和专用通信网络等应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21050LSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400S |
| 功率-输出 | 11.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-400S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 2.16GHz |
| 额定电流 | 10µA |