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- 型号： MRF6S19140HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19140HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19140HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19140HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19140HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19140HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19140HR5 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为宽带、高功率、高效率的射频功率放大应用设计。其典型工作频率范围为 1805–1990 MHz（覆盖 GSM/EDGE、LTE-FDD/LTE-TDD 的 1900 MHz 频段），额定输出功率达 140 W（连续波），具备高增益（典型值 17.5 dB）和高漏极效率（>65% @ 1960 MHz）。 主要应用场景包括： - 蜂窝基站射频功放模块：广泛用于宏基站（Macro Base Station）的末级功率放大器（PA），支持 2G/3G/4G 多模多载波（MC-OFDMA）信号放大； - 无线通信基础设施：适用于 LTE-A 和早期 5G NR（Sub-6 GHz）基站的中功率发射链路，尤其适配需高线性度与宽带宽的DPD（数字预失真）系统； - 工业与广播设备：如小型化分布式天线系统（DAS）、室内覆盖直放站及专业无线通信中继设备中的射频功放单元； - 测试与仪表：作为射频信号源或功率放大器模块，用于EMC测试、射频组件验证等实验室环境。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持高可靠性散热设计，支持+28 V 或 +32 V 单电源供电，内置ESD保护，符合RoHS标准。需配合匹配网络、偏置电路及热管理方案使用，常搭配NXP配套驱动芯片（如MW6IC2240）构建完整射频PA子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 29W NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19140HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 29W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.15A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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