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- 型号： MRF6S19100HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19100HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19100HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19100HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19100HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19100HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19100HSR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE-FDD 上行/下行频段）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站（Macro Base Station）和分布式基站（DAS）的末级射频功放模块，支持 1.8–2.0 GHz 频段，具备高输出功率（典型100 W连续波）、高增益（≥17 dB）及高效率（>60%），满足5G前向兼容及4G LTE网络对线性度与能效的要求。 - 无线通信基础设施：适用于多载波GSM/EDGE、WCDMA、TD-LTE 和 FDD-LTE 系统中的宽带功率放大器，支持复杂调制信号（如OFDM、64-QAM），具备良好ACLR（邻道泄漏比）性能，满足3GPP发射标准。 - 工业与广播辅助设备：在小功率射频激励器、中继器、直放站（Repeater）及公共安全通信系统（如TETRA、P25扩展频段）中作为可靠射频输出级。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持高可靠性散热设计，适用于严苛环境下的连续工作。注意：其为高功率器件，需配合匹配电路、稳定偏置及有效热管理使用。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19100HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.1dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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