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- 型号： MRF6S19100HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19100HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19100HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19100HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19100HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19100HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19100HSR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为蜂窝基站发射链路设计。其典型应用场景包括： - 4G LTE 及 5G Sub-6 GHz 宏基站功率放大器（PA）：工作频段覆盖 1805–1990 MHz（如 PCS、DCS、LTE Band 3/25/38/41 等），支持高平均输出功率（约 100 W CW 或 60–80 W 峰均比下 OFDM 信号）。 - 多载波宽带直放站与分布式小基站（pico/femto cell）的末级功放：具备高增益（>17 dB）、高效率（典型 55–60% 漏极效率）和优异线性度，适配 DPD（数字预失真）技术以满足 ACLR 要求（如 LTE ≤ –45 dBc）。 - 广播与专业无线通信系统：如公共安全集群通信（TETRA、P25）、航空地勤通信等中高频段发射模块。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持高可靠性风冷/液冷散热，适用于连续高功率运行环境；内置ESD保护及热反馈结构，提升系统鲁棒性。需配合匹配网络、偏置电路及稳定电源使用，常见于基站TRX板卡或独立PA模块中。 （注：型号后缀“R3”表示卷带包装，工业级温度范围 –40°C 至 +150°C，结温上限 200°C。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19100HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.1dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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