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产品简介:
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MRF6P3300HR5 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频(RF)LDMOS 功率晶体管,专为高功率、高效率的宽带射频放大应用设计。其典型应用场景包括: - 蜂窝基站发射系统:广泛用于 4G LTE 和 5G 宏基站的末级功率放大器(PA),支持 1800–2200 MHz 频段(如 DCS、PCS、UMTS、B40/B41 等),单管可提供高达 300 W 连续波(CW)输出功率。 - 广播与无线通信基础设施:适用于 UHF 频段(如 470–862 MHz)的数字电视(DTV)、无线麦克风中继及点对多点通信系统的高线性度功放模块。 - 工业与科研射频源:在等离子体发生器、MRI 射频激励、RF 加热设备中作为稳定可靠的高频大功率驱动器件。 该器件采用陶瓷封装(SOT-1222A),具备优异的热稳定性、高增益(典型 17 dB @ 2.14 GHz)、高漏极效率(>65%)及内置ESD保护,支持宽带匹配设计,便于简化外围电路。需配合匹配网络、偏置电路及高效散热方案(如强制风冷或水冷)使用。 注意:MRF6P3300HR5 已于近年进入NXP产品停产(NRND)状态,新设计建议评估替代型号(如 MRF6P3300HR6 或最新 Airfast® 系列),但现有设备维护及产线仍大量沿用该器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 32V 300W NI-860C3 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6P3300HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-860C3 |
| 功率-输出 | 320W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.2dB |
| 封装/外壳 | NI-860C3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 857MHz |
| 额定电流 | 10µA |