Datasheet下载- 型号： MRF6P3300HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6P3300HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6P3300HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6P3300HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6P3300HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6P3300HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6P3300HR3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为高功率、高频通信应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站发射系统：广泛用于 2G/3G/4G LTE 宏基站及分布式基站的末级功率放大器（PA），支持 1805–1880 MHz（PCS）和 2110–2170 MHz（UMTS/FDD）等频段，单管可输出高达 300 W（峰值）连续波（CW）或脉冲功率。 - 无线基础设施设备：适用于多载波宽带放大器（如 Doherty 架构）、远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS），具备高增益（约 17 dB）、高效率（典型 PAE > 65%）和优异线性度，满足严苛的ACLR与EVM指标要求。 - 广播与工业射频源：在 UHF 频段（如 470–862 MHz）的数字电视发射机、RF 加热、等离子体发生器等工业应用中，亦可作为可靠的大功率放大核心器件。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），内置输入/输出匹配网络，支持高可靠性散热设计，符合 RoHS 标准，并通过 AEC-Q100 认证（部分版本），适用于严苛环境下的长期稳定运行。需配合专用驱动电路、偏置电源及热管理方案使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 32V 300W NI-860C3 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6P3300HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-860C3 |
| 功率-输出 | 320W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.2dB |
| 封装/外壳 | NI-860C3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 857MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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