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- 型号： MRF6P23190HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6P23190HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6P23190HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF6P23190HR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6P23190HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6P23190HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6P23190HR6 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为2.3–2.7 GHz频段设计（典型工作频段：2.3–2.4 GHz 或 2.5–2.7 GHz），适用于宽带无线通信系统。其主要应用场景包括： - 4G LTE 基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和微基站的末级功放模块，支持高输出功率（典型Pout = 190 W CW / 180 W pulsed）、高增益（约17 dB）与高效率（典型PAE > 60%），满足LTE Band 40（2.3–2.4 GHz）及Band 7/41（2.5–2.7 GHz）需求。 - 5G Sub-6 GHz 前传/分布式单元（DU）射频单元：在早期5G NSA组网中，兼容2.6 GHz等主流频段，用于中低功率多载波（如2×20 MHz LTE+NR）场景，具备良好线性度与ACLR性能。 - 宽带无线接入系统（WiMAX、WLAN 5 GHz扩展应用）：虽非专为Wi-Fi设计，但凭借宽频带匹配能力，亦可用于定制化宽带固定无线接入（FWA）终端或点对多点（PMP）基站发射链路。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持风冷/液冷散热，需配合匹配电路与偏置网络使用，适用于高可靠性、连续波或脉冲工作的基站级设备，不适用于消费类或低功耗终端。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 40W NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6P23190HR6 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.9A |
| 频率 | 2.39GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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