【未分类_MRF6P23190HR5】封装/厂家_MRF6P23190HR5中文资料_价格

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型号： MRF6P23190HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6P23190HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6P23190HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6P23190HR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6P23190HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6P23190HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6P23190HR5是恩智浦（NXP）收购飞思卡尔（Freescale Semiconductor）后继承的产品，属LDMOS射频功率晶体管，工作频率范围为2.3–2.7 GHz，典型输出功率达190 W（连续波），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大。其主要应用场景包括：  
1. 4G/LTE基站功率放大器：广泛用于2.6 GHz频段（如B7/B38/B41等）宏基站和中继站的末级功放，支持高平均功率与高ACLR性能；  
2. 5G Sub-6 GHz预商用系统：在2.6 GHz频段的早期5G基站中作为PA核心器件，兼顾带宽与热稳定性；  
3. 无线通信基础设施：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）及微基站中的高可靠性射频功放模块；  
4. 广播与专网通信：适用于点对多点微波链路、公共安全通信（如TETRA、P25扩展频段）及军用通信设备中的固态射频发射单元。  
该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异的散热能力与长期可靠性，支持高VSWR耐受（10:1），适合严苛环境部署。需配合匹配网络、偏置电路及高效散热设计使用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 28V 40W NI-1230
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6P23190HR5
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-1230
功率-输出	40W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	14dB
封装/外壳	NI-1230
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	1.9A
频率	2.39GHz
额定电流	10µA