【未分类_MRF6P21190HR6】封装/厂家_MRF6P21190HR6中文资料_价格

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型号： MRF6P21190HR6
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6P21190HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6P21190HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF6P21190HR6封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6P21190HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6P21190HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6P21190HR6 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.1 GHz 频段设计（典型工作频率：2110–2170 MHz），适用于蜂窝通信基站中的宏蜂窝和微蜂窝射频功率放大器。其主要应用场景包括：

- 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站发射链路：作为末级功率放大器（PA），支持高效率、高线性度的信号放大，满足 LTE-A 载波聚合及 5G NR 的ACLR/ACPR严苛指标；
- 多载波宽带系统：具备优异的宽带匹配能力与热稳定性，适用于20–80 MHz瞬时带宽的Doherty架构放大器；
- 远程射频单元（RRU）与有源天线系统（AAS）：采用陶瓷封装（HR6），具备高可靠性、良好散热性及抗浪涌能力，适合户外长期运行；
- 工业与专用无线通信系统：如公共安全通信（TETRA/LTE）、宽带无线接入（WiMAX演进系统）等中高功率射频发射应用。

该器件需配合匹配网络、偏置电路及数字预失真（DPD）技术使用，以实现最佳效率（典型PAE > 55% @ Pout=120W）与线性度。不适用于消费类小功率设备（如手机、Wi-Fi模块）或低频（<1 GHz）应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6P21190HR6
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-1230
功率-输出	44W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	15.5dB
封装/外壳	NI-1230
晶体管类型	LDMOS
标准包装	150
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	1.9A
频率	2.11GHz
额定电流	10µA