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产品简介:
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MRF5S9150HSR5 是 NXP(恩智浦)推出的高性能射频功率 MOSFET,属 LDMOS 工艺,专为高功率、高效率射频放大应用设计。其典型应用场景包括: - 蜂窝通信基站:主要用于 800–900 MHz 频段(如 GSM、CDMA、LTE FDD Band 5/8)的宏基站末级功率放大器(PA),支持连续波(CW)或复杂调制信号(如 OFDM、WCDMA),输出功率可达 150 W(峰值),具备高增益(≥17 dB)和高漏极效率(>65%)。 - 广播与无线基础设施:适用于中短波广播发射机、公共安全通信系统(如 TETRA、P25)及专用无线链路的射频功放模块。 - 工业与科研射频源:在射频加热、等离子体发生、医疗设备(如 MRI 射频激励源)等需稳定大功率射频输出的场景中作为核心功率器件。 该器件采用陶瓷封装(NI-780H),具备优异热稳定性与可靠性,支持高电压(VDS = 65 V)、高电流工作,并内置ESD保护;需配合匹配网络、散热器及偏置电路使用。不适用于低频开关电源或数字逻辑开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S9150HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 33W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.7dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.5A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |