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- 型号： MRF5S9150HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S9150HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S9150HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S9150HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S9150HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S9150HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S9150HSR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为高功率、高效率的宽带射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站发射系统：广泛用于 800–960 MHz 频段（如 GSM、CDMA、LTE FDD 的 Band V/VI/VIII），支持宏基站和分布式基站中的末级功率放大器（PA），可单管输出高达 150 W（连续波）或更高峰值功率（脉冲/OFDM信号）。 - 广播与无线通信基础设施：适用于 FM 广播激励器、陆地移动无线电（LMR）、公共安全通信系统等中高频段高可靠性发射链路。 - 工业与科研射频源：如射频加热、等离子体发生器、MRI 射频功放模块等需稳定大功率射频输出的场景。 该器件采用高热效气腔封装（NI-780H），集成源极键合焊盘与优化的热设计，支持风冷或液冷散热；具备优异的增益（典型 17 dB）、高功率附加效率（PAE > 60%）、良好线性度及内置ESD保护，便于简化外围电路设计。配合匹配网络与驱动级，可实现宽带、高动态范围的线性放大，满足严苛的ACLR（邻道泄漏比）和EVM（误差矢量幅度）指标要求。 注：“品牌为-”应为“品牌为 NXP（恩智浦）”，属行业主流射频功率半导体供应商。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S9150HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 33W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.7dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.5A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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