Datasheet下载- 型号： MRF5S9100MR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S9100MR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S9100MR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S9100MR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S9100MR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S9100MR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S9100MR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 900–1000 MHz 频段设计，典型工作频率为 945 MHz（如 GSM/EDGE 基站频段）。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器：广泛用于 2G/3G 基站的末级功放（PA），支持高输出功率（典型 100 W 连续波输出）、高增益（≥17 dB）和高效率（>60%），满足宏基站与分布式基站对线性度和热稳定性的严苛要求。 - 无线基础设施设备：适用于中继站、微基站、直放站及小蜂窝（Small Cell）中的射频功放模块，尤其适配 GSM、CDMA、WCDMA 和部分窄带 LTE 应用。 - 工业与广播应用：可用于 UHF 频段的射频加热、等离子体发生器、医疗射频设备（如理疗仪）以及低功率电视/广播发射系统（需符合相应法规）。 该器件采用气腔陶瓷封装（MR1），具备优异的散热性能与可靠性，支持连续波（CW）及复杂调制信号（如 EDGE 的 π/4-DQPSK），并内置ESD保护。需配合匹配网络、偏置电路及高效散热设计使用。 注意：随着5G普及，该型号已逐步被更高频、更宽带宽的新一代器件替代，但仍广泛应用于存量基站维护与特定工业射频系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5S9100MR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.5dB |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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