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- 型号： MRF5S21150HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21150HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21150HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21150HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21150HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21150HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21150HSR5 是一款由 NXP（恩智浦）推出的高性能射频横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS MOSFET），专为高功率、高频率的无线通信基础设施设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站发射链路：广泛应用于 2.1 GHz 频段（如 WCDMA、LTE FDD Band 1/4/34/35 等）的宏基站和中型基站末级功率放大器（PA），支持连续波（CW）及复杂调制信号（如 OFDM、64-QAM），输出功率可达 150 W（峰值），具备高增益（约 17 dB）与高效率（>60% 漏极效率）。 - 宽带无线接入系统：适用于 WiMAX（IEEE 802.16d/e）及小型化 5G 基站（Sub-3 GHz 频段）的射频功放模块，尤其适合需兼顾线性度与功率回退能力的多载波应用。 - 广播与工业射频源：在 UHF 频段（如 1.8–2.2 GHz）的雷达模拟器、EMC 测试激励源、等离子体发生器等专业射频系统中，作为稳定可靠的高功率开关/放大器件。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1221A），具备优异热管理性能与高可靠性（符合 Telcordia GR-468 标准），支持+28 V 或 +32 V 单电源供电，内置ESD保护，简化外围电路设计。需配合匹配网络与偏置电路使用，典型工作温度范围为 –40°C 至 +100°C（结温）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S21150HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 33W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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