图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： MRF5S21150HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21150HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21150HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21150HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21150HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21150HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21150HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，专为 2.1 GHz 频段（如 2110–2170 MHz）设计，典型应用包括： - 4G LTE 基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和分布式基站的末级功放模块，支持高线性度与高效率（典型漏极效率达 55%），满足 LTE 20 MHz 信号带宽下的 ACLR 要求。 - WCDMA/HSPA 网络设备：作为 3G 网络基站发射链路的关键器件，提供 150 W 连续波（CW）或 150 W 平均功率（在 OFDM 信号下峰值平均比 PAPR≈7.5 dB 条件下），适配多载波工作场景。 - 小基站（Small Cell）与中继器（Repeater）：在紧凑型射频系统中，配合匹配电路与数字预失真（DPD）技术，实现高动态范围与低失真输出。 - 工业/科研射频源：如医疗射频消融设备、等离子体发生器等需稳定大功率射频输出的非通信领域（需符合相应安全与EMC规范）。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热稳定性与可靠性，支持连续波及脉冲工作模式，推荐使用推挽或Doherty架构以进一步提升整机效率。需配合精确的输入/输出阻抗匹配网络（通常50 Ω系统）及高效散热设计（建议热阻 ≤ 0.15°C/W）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S21150HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 33W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF5S21150HR5 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商