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- 型号： MRF5S21130HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21130HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21130HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21130HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21130HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21130HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21130HSR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1 GHz频段（如W-CDMA、LTE FDD Band 1）基站功率放大器设计。其典型应用场景包括： - 宏基站（Macro Base Station）末级功率放大器：支持高达130 W连续波（CW）输出，在2.14 GHz下可提供约85 W平均输出功率（用于LTE 20 MHz信号），具备高增益（约17 dB）和高效率（约35–40%漏极效率），满足5G前向兼容的4G LTE网络扩容与升级需求。 - 多载波宽带通信系统：支持宽瞬时带宽（≥20 MHz）及高峰均比（PAPR）信号（如OFDMA、SC-FDMA），配合数字预失真（DPD）技术可实现优异线性度（ACLR ≤ –65 dBc），保障邻道干扰抑制能力。 - 工业/专用无线通信设备：适用于点对点微波回传、公共安全通信基站等对可靠性与热稳定性要求严苛的场景；其集成ESD保护、高结温（Tj = 200°C）及坚固封装（NI-780H-4L）支持长期连续运行。 该器件需搭配匹配电路、稳定偏置（推荐Class AB）及高效散热设计（建议使用铜基PCB或热沉），不适用于消费类或低功耗终端设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S21130HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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