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- 型号： MRF5S21100HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21100HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21100HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21100HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21100HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21100HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21100HSR3 是飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor，现属NXP）推出的高性能射频LDMOS MOSFET，专为2.1 GHz频段（如W-CDMA、LTE Band 1/4等）设计，典型工作频率为2110–2170 MHz。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和中型基站的末级射频功放模块，支持高线性度与高效率（典型PAE达45%以上），满足3G/4G通信对ACLR和EVM的严苛要求； - 无线基础设施设备：如分布式基站（DAS）、小型基站（Small Cell）及RRU（射频拉远单元）中的宽带功率放大级； - 宽带射频系统：适用于多载波（MC-WCDMA、OFDMA）信号放大，在90 W连续波（CW）或100 W峰值功率下稳定工作，具备优异的热稳定性和可靠性； - 工业与军事通信：在部分高可靠性要求的窄带/宽带战术电台、测试仪器射频源中亦有应用。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），集成ESD保护与高热导率结构，支持强制风冷或液冷散热方案，适配现代基站对高功率密度与长期运行可靠性的需求。注：Freescale于2015年被NXP收购，该型号现由NXP继续支持并纳入其射频功率产品线。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S21100HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.05A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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