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- 型号： MRF5S21100HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21100HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21100HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21100HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21100HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21100HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21100HR5 是恩智浦（NXP）收购飞思卡尔（Freescale）后继承的高性能射频LDMOS晶体管，常被归于原Freescale产品线。该器件为100W、2.1–2.2 GHz频段（支持WCDMA/LTE 2100 MHz频段）的高增益、高效率射频功率放大器（RF PA），采用陶瓷封装（NI-780H），具备优异的热稳定性和可靠性。 典型应用场景包括： • 蜂窝基站射频功放模块：广泛用于宏基站（Macrocell）和分布式基站（BBU+RRU架构）中的末级功率放大器，支持2G/3G/4G多模信号放大； • 无线通信基础设施：适用于TD-LTE、LTE-FDD等2.1 GHz频段的基站发射链路，满足ACLR、EVM等严苛线性度要求； • 微波中继与专网通信系统：在点对点回传设备及公共安全宽带通信（如TETRA增强型、P25）中提供高输出功率与宽带匹配能力； • 工业与科研射频源：如EMC测试用宽带功放、医疗射频消融设备的驱动级放大等（需严格遵循射频安全规范）。 其R5后缀表示卷带包装（Reel），适用于自动化贴片生产。设计时需配合匹配网络、高效散热结构（推荐铜基PCB或热沉）及偏置保护电路以保障长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S21100HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.05A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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