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- 型号： MRF5S21090HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21090HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21090HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21090HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21090HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21090HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21090HSR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1 GHz频段（如WCDMA、LTE Band 1/4/25等）宏基站功率放大器设计。其典型应用场景包括： - 4G/5G移动通信基站：作为末级功率放大器（PA）核心器件，支持高线性度与高效率，适用于2.1 GHz频段的宏蜂窝基站发射链路，满足高平均输出功率（≥90 W连续波或更高峰值功率）需求； - 宽带无线接入系统：用于点对多点（PMP）、WiMAX等固定无线接入设备中的射频功放模块； - 工业与科研射频源：在医疗射频加热、等离子体发生器及测试用宽带射频信号源中，提供稳定、高可靠性的射频能量输出； - 军用与航空通信：适用于部分战术电台和机载通信系统的2 GHz频段高功率发射单元（需满足相应环境与可靠性要求）。 该器件采用高热导率陶瓷封装（NI-780H），支持强制风冷或液冷散热，具备优异的增益（约16 dB）、功率附加效率（PAE ≥ 55% @ 2.14 GHz）及出色的长期可靠性，特别适合高功率、高线性、高稳定性要求的商用通信基础设施场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S21090HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 19W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 850mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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