Datasheet下载- 型号： MRF5S19150HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19150HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19150HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19150HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19150HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19150HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19150HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（典型工作频率：1930–1990 MHz）设计，适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大应用。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站发射系统：广泛用于 4G LTE 和部分 5G Sub-6 GHz 宏基站的末级功率放大器（PA），支持多载波信号（如 20–40 W 平均输出功率，峰值功率达 150 W），满足高邻道泄漏比（ACLR）和误差矢量幅度（EVM）要求。 - 无线基础设施设备：适用于分布式基站（DAS）、小型基站（Small Cell）和远程射频单元（RRU）中的中高功率射频功放模块，尤其适配 WCDMA、LTE-TDD/FDD 等通信标准。 - 工业与广播应用：可用于 RFID 激励器、医疗射频加热设备及窄带/宽带射频信号源等需稳定高功率输出的非通信场景。 该器件采用高热效气腔陶瓷封装（SOT-1222A），支持风冷或液冷散热，具备优异的可靠性、增益（典型 17 dB）和功率附加效率（PAE > 60%），并内置ESD保护与热稳定性设计，便于系统集成与长期运行。需配合匹配网络、偏置电路及驱动级进行优化设计以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19150HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 32W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF5S19150HR5 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商