Datasheet下载- 型号： MRF5S19100HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19100HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19100HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19100HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19100HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19100HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19100HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE 基站）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和微基站的末级功放，支持 1930–1990 MHz 频段，可单管输出高达 100 W 连续波（CW）或 60 W 平均功率（在 LTE 20 MHz 信号下），具备高增益（约 17 dB）、高效率（典型 65%）和优异线性度，满足 4G/5G 前传与中继需求。 - 无线基础设施设备：适用于直放站、分布式天线系统（DAS）、小基站（Small Cell）等对散热、可靠性及宽带匹配要求严苛的场景；采用陶瓷封装（NI-780H）与金属底座，支持强制风冷或液冷散热。 - 工业与广播应用：亦可用于ISM 频段（如 1920–1980 MHz）的射频加热、医疗设备（如 MRI 射频源）及宽带激励器模块。 该器件需配合匹配网络、偏置电路及稳定补偿设计使用，强调热管理与ESD防护。NXP 提供配套参考设计（如 MRF5S19100HSR3 EVB）及模型支持，便于快速集成至通信系统射频前端。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19100HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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