Datasheet下载- 型号： MRF5S19100HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19100HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19100HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19100HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19100HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19100HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19100HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS/DCS 基站）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器：广泛用于 1800–1990 MHz 频段的宏基站、微基站和远端射频单元（RRU），支持 GSM、EDGE、W-CDMA、LTE FDD/TDD 等多模协议； - 无线基础设施设备：作为末级功放（PA），提供高达 100 W 连续波（CW）输出功率或 65 W 平均功率（在 LTE 20 MHz 信号下），具备高增益（≥17 dB）、高效率（典型 60% @ P1dB）和优异线性度； - 工业与广播类射频系统：适用于医疗射频加热、等离子体发生器及小型宽带发射系统等需稳定大功率射频输出的场景。 该器件采用高可靠性陶瓷封装（NI-780H），集成ESD保护，支持高电压（VDD = 32 V）工作，具备良好热稳定性与长期可靠性，符合基站设备严苛的MTBF要求。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19100HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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