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型号： MRF5S19060MBR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19060MBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19060MBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19060MBR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF5S19060MBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19060MBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF5S19060MBR1 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为 1.9–2.0 GHz 频段设计（典型用于 PCS/DCS/WCDMA/LTE 基站），额定输出功率达 60 W（连续波，CW），具备高增益（典型17 dB）、高效率（典型65%）和优异的热稳定性。

其主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站、微基站的末级射频功放模块，支持 1900–2000 MHz 频段的 4G LTE 和 5G NR（Sub-3 GHz）部署；  
✅ 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型蜂窝（Small Cell）和直放站中的宽带射频放大单元；  
✅ 工业与广播应用：适用于ISM频段（如1920–1980 MHz）的射频加热、等离子体发生器及专业无线音频传输系统；  
✅ 高可靠性通信系统：内置ESD保护与稳健的雪崩耐受能力，适用于需长期稳定运行的室外基站环境。

该器件采用气腔陶瓷封装（MRF5S系列标准），支持法兰安装与强制风冷/液冷散热，符合 RoHS 且通过 AEC-Q200 可靠性认证（部分版本），适用于严苛工况。需配合匹配网络、偏置电路及驱动级设计使用，常搭配NXP的射频驱动器（如MMRF1022）构建完整PA链路。

注：已停产（NRND状态），当前推荐替代型号为 MRF5S19060NSR1 或新一代 Airfast® 系列（如AFM9060）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-272-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF5S19060MBR1
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-272 WB-4
功率-输出	12W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	14dB
封装/外壳	TO-272BB
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	750mA
频率	1.93GHz
额定电流	10µA