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- 型号： MRF5S18060NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S18060NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S18060NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S18060NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S18060NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S18060NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S18060NR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 1.8–2.0 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE FDD Band 1/3 等）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于宏基站（Macrocell）和中继站的末级射频功放模块，支持高线性度与高效率（在 1.96 GHz、30 V 偏置下，P1dB ≈ 60 W，PAE ≥ 55%），满足 4G LTE 和部分 5G Sub-6 GHz 基站前传/分布式单元（DU）需求。 - 无线通信基础设施：适用于多载波（MC-WCDMA/LTE）系统，具备优异的互调抑制（IMD3 < –35 dBc）和宽带匹配能力，支持动态范围宽、峰均比（PAPR）高的信号放大。 - 工业与广播设备：可用于 RFID 读写器、小型微波链路发射机及数字电视（DTV）激励器等中功率射频发射应用。 该器件采用气腔陶瓷封装（TO-270WB-4），具备良好热稳定性与可靠性，支持连续波（CW）及脉冲工作模式，典型应用需配合匹配网络、偏置电路及散热设计。不适用于消费类终端（如手机）或毫米波场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF SGL STAGE TO-270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5S18060NR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | - |
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