Datasheet下载- 型号： MRF5P21180HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5P21180HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5P21180HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF5P21180HR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5P21180HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5P21180HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5P21180HR6 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频功率 LDMOS 晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：2110–2170 MHz），适用于蜂窝通信基站中的宏蜂窝和微蜂窝射频功率放大器（PA）。其主要应用场景包括： - 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站发射链路：作为末级功率放大器（Final PA），支持高效率、高线性度的多载波信号放大（如20–80 W P1dB 输出）； - 无线基础设施设备：用于分布式基站（BBU+RRU）、有源天线系统（AAS）及小型基站（Small Cell）中的射频功放模块； - 宽带通信系统：兼容WCDMA、LTE TDD/FDD 及部分5G NR（n1/n25/n41等频段）标准，支持DPD（数字预失真）技术以提升ACLR性能； - 工业与专用通信：适用于点对点微波回传、公共安全宽带网络（如TETRA、P25增强型）等高可靠性射频发射场景。 该器件采用高热导率陶瓷封装（SOT-1222A），支持风冷/传导冷却，具备优异的 ruggedness（抗负载失配能力）和长期可靠性，满足基站7×24小时连续运行要求。需配合匹配电路、偏置网络及散热设计使用，典型应用见NXP官方参考设计 AN11158 等。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5P21180HR6 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 38W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 2.16GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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