Datasheet下载- 型号： MRF5P21180HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5P21180HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5P21180HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5P21180HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5P21180HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5P21180HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5P21180HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：2110–2170 MHz），额定输出功率达 180 W（连续波），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大场景。 主要应用场景包括： • 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站发射系统：作为宏基站或中继站末级功放（PA），支持多载波信号（如2×20 MHz LTE-A），满足ACLR和EVM等严苛线性度要求； • 无线通信基础设施：用于分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和有源天线单元（AAU）中的射频功放模块； • 宽带射频功率放大器：适用于ISM频段（如2.4 GHz）、WCDMA、TD-LTE 等协议的测试设备、信号发生器及射频仿真系统； • 工业与军事通信：在雷达模拟器、电子对抗（EW）和战术电台等对可靠性与热稳定性要求高的领域亦有应用。 该器件采用高热效气腔封装（NI-780H），支持高增益（典型16 dB）、高漏极效率（>65% @ 2.14 GHz），并集成ESD保护与宽禁带工艺优化，可在高VSWR条件下稳定工作。需配合匹配网络、偏置电路及高效散热设计使用，常搭配NXP推荐驱动级（如MW6IC2240N）构建完整射频链路。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5P21180HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 38W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 2.16GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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