Datasheet下载- 型号： MRF5P20180HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5P20180HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5P20180HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5P20180HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5P20180HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5P20180HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5P20180HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为高功率、高效率的宽带射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站基础设施：广泛用于 2G/3G/4G LTE 宏基站的末级功率放大器（PA），支持 1800–2000 MHz 频段（如 DCS、PCS、UMTS、LTE Band 3/Band 1），可单管输出高达 180 W 连续波（CW）或 90 W 平均功率（采用 OFDM 信号时）。 - 广播与无线通信系统：适用于 UHF 频段（如 1700–2200 MHz）的点对多点通信、专用移动无线电（PMR）、公共安全通信及小型区域覆盖基站。 - 工业与医疗射频源：在射频加热、等离子体发生器、MRI 射频功放模块等需要稳定大功率射频激励的非通信领域亦有应用。 该器件采用高热效气腔陶瓷封装（SOT-1222A），具备优异的热稳定性、高增益（典型 16 dB @ 1.9 GHz）和高漏极效率（>65%），并内置输入/输出匹配网络，简化 PCB 设计。配合 NXP 推荐的偏置电路与散热方案（如强制风冷或水冷），可在连续工作条件下长期可靠运行。 注意：实际应用需严格遵循 NXP 数据手册中的热管理、ESD 防护、阻抗匹配及驱动级设计规范，以确保性能与可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5P20180HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 38W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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