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  • 型号: MRF372R3
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF372R3由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF372R3价格参考。Freescale SemiconductorMRF372R3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF372R3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF372R3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF372R3是由NXP USA Inc.生产的射频晶体管,属于FET(场效应晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该型号主要用于射频功率放大器应用,特别适用于高频通信系统。

 应用场景:
1. 无线通信基站:MRF372R3广泛应用于蜂窝基站的射频功率放大器中,支持多种无线通信标准,如GSM、CDMA、WCDMA等。它能够在高频段提供高效的功率输出,确保信号的稳定传输和覆盖范围的扩展。
   
2. 雷达系统:在军事和民用雷达系统中,MRF372R3用于发射机的射频功率放大。其高功率处理能力和低失真特性使其能够有效地放大雷达信号,提升探测距离和精度。

3. 航空航天通信:在航空航天领域,MRF372R3被用于卫星通信、飞机与地面站之间的数据传输等场景。它能够在极端环境下保持稳定的性能,确保通信链路的可靠性。

4. 射频识别(RFID)系统:MRF372R3也可用于RFID读写器的射频前端设计,帮助实现远距离、高速率的数据读取和写入操作,尤其适用于物流管理、仓储自动化等领域。

5. 业余无线电:对于业余无线电爱好者,MRF372R3可以用于自制的射频发射设备,提供强大的输出功率,支持短波、超短波等频段的通信实验。

6. 工业加热与等离子体控制:在一些工业应用中,MRF372R3可用于射频电源的设计,例如用于材料加热、等离子体生成等过程,通过精确控制射频能量来实现高效能的加工或处理。

 性能特点:
- 高功率输出:MRF372R3能够在高频段提供较高的功率输出,适用于需要大功率射频放大的应用场景。
- 低热阻设计:具有良好的散热性能,能够在长时间工作下保持稳定,适合连续运行的设备。
- 宽频带操作:支持较宽的工作频率范围,适应多种不同的通信标准和应用需求。
- 高效率:在高频段表现出色,能够有效降低能耗并提高系统的整体效率。

总之,MRF372R3是一款高性能的射频MOSFET,适用于多种需要高效射频功率放大的应用场景,特别是在通信、雷达和工业领域表现尤为突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC MOSFET RF N-CHAN NI-860C3

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MRF372R3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

NI-860C3

功率-输出

180W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

17dB

封装/外壳

NI-860C3

晶体管类型

LDMOS

标准包装

250

电压-测试

32V

电压-额定

68V

电流-测试

800mA

频率

857MHz

额定电流

17A

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