Datasheet下载- 型号： MRF281ZR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF281ZR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF281ZR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF281ZR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF281ZR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF281ZR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.生产的MRF281ZR1是一款射频晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这种器件主要用于高频、高功率的应用场景，特别是在射频通信领域中表现突出。以下是其主要应用场景： 1. 射频功率放大器 - MRF281ZR1广泛应用于射频功率放大器的设计中，尤其是在高频段（如VHF、UHF频段）。它能够提供高增益和高效率，适用于广播、无线通信和雷达系统中的功率放大需求。 2. 无线电通信 - 该型号适合用于业余无线电设备、对讲机以及专业无线电通信系统。由于其出色的射频性能，可以有效提升信号传输距离和质量。 3. 广播系统 - 在广播电视领域，MRF281ZR1可用于电视和FM广播发射机的射频功率输出级，确保信号覆盖范围广且稳定。 4. 工业、科学和医疗（ISM）应用 - 在ISM频段内，这款MOSFET可用于各种工业加热设备、等离子体发生器以及医疗成像设备中的射频电源模块。 5. 测试与测量设备 - 高精度的射频测试仪器可能使用MRF281ZR1作为核心组件，以实现稳定的信号源或功率放大功能。 6. 航空航天与国防 - 因为其可靠性和高性能，该器件也适用于航空航天领域的卫星通信、导航系统以及国防领域的雷达和电子对抗系统。 总结 MRF281ZR1凭借其优异的射频性能、高功率处理能力和宽频率范围，在需要高效射频能量转换的场合具有不可替代的地位。无论是民用通信还是军工领域，这款器件都能满足严格的性能要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-200Z |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF281ZR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-200Z |
| 功率-输出 | 4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12.5dB |
| 封装/外壳 | NI-200Z |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 25mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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