Datasheet下载- 型号： MRF21010LSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF21010LSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF21010LSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF21010LSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF21010LSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF21010LSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF21010LSR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS FET），专为高频、高效率、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为100–1000 MHz（覆盖VHF/UHF波段），输出功率可达10 W（连续波，CW），具备高增益（典型值17 dB）、高漏极效率（>60% @ 945 MHz）及良好的热稳定性。 主要应用场景包括： - 陆地移动通信基站：用于中继台、集群通信系统（如TETRA、P25）的末级功率放大器； - 广播发射设备：AM/FM广播激励器或小型调频发射机中的驱动级/末级放大； - 工业与医疗射频源：如等离子体发生器、RF加热、MRI射频功放模块； - 无线基础设施：小型蜂窝（Small Cell）、分布式天线系统（DAS）中的宽带射频功率放大单元； - 测试与测量仪器：作为信号源或功率放大模块集成于RF信号发生器、EMC抗扰度测试系统中。 该器件采用表面贴装SO-8封装（含裸焊盘），支持简易PCB布局与高效散热，符合RoHS标准，适用于需兼顾性能、尺寸与可靠性的中功率射频系统。注意：实际应用中需严格遵循NXP提供的参考电路、匹配网络设计及热管理规范，以确保稳定性和寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF21010LSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-360 短引线 |
| 功率-输出 | 11W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | NI-360S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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