Datasheet下载- 型号： MRF19125R5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF19125R5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF19125R5价格参考。Freescale SemiconductorMRF19125R5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF19125R5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF19125R5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF19125R5 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 功率晶体管，专为高效率、高线性度的宽带射频功率放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.5 GHz（覆盖 LTE Band 1/3/7/40 及部分 5G Sub-6 GHz 频段），额定输出功率达 25 W（连续波）或更高（脉冲模式），具备优异的增益（约 18 dB）、高功率附加效率（PAE > 60%）和良好热稳定性。 主要应用场景包括： ✅ 蜂窝通信基站：用于小型基站（Small Cell）、微基站（Microcell）及分布式天线系统（DAS）中的末级功率放大器（PA），支持 LTE 和 5G NR（n1/n3/n7/n41/n77 等频段）； ✅ 无线基础设施设备：如直放站、中继器、室内覆盖系统等对尺寸、效率与可靠性要求较高的射频前端模块； ✅ 宽带射频测试与工业设备：适用于通用宽带射频信号源、EMC 测试激励放大器、医疗射频设备（如 RF 消融辅助放大）等中功率射频应用； ✅ 广播与专用无线系统：支持 TDD/FDD 架构的专网通信（如公共安全、铁路通信）发射链路。 该器件采用紧凑型 SO-8 封装（带裸焊盘），集成ESD保护，支持简易 PCB 布局与高效散热设计，适合大批量生产。需配合匹配网络、偏置电路及热管理方案使用，典型应用参考设计可查阅 NXP 官方 AN11156 等文档。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF19125R5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 24W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 24V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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