Datasheet下载- 型号： MRF19085LR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF19085LR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF19085LR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF19085LR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF19085LR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF19085LR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF19085LR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为高频、高功率放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 L/S 波段），输出功率达 85 W（连续波，CW），具备高增益（典型值约 17 dB）和高漏极效率（>65%），适用于严苛的射频功率放大场景。 主要应用场景包括： - 无线通信基站：用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站或微基站的末级功率放大器（PA），尤其适配 2.1 GHz 频段（如 Band 1/ Band 4）； - 广播与宽带发射系统：支持 ISM、PMR、TETRA 等专业无线通信系统的射频功放模块； - 工业与医疗射频源：如等离子体发生器、MRI 射频激励源、RF 加热设备中的固态功率放大环节； - 雷达与电子对抗（EW）系统：适用于中短距脉冲雷达发射链路，满足高线性度与快速开关需求（配合合适驱动与偏置电路）。 该器件采用陶瓷金属封装（LR3），具备优异热稳定性与可靠性，支持风冷或传导冷却设计。需搭配匹配网络、稳定化电路及精确栅极偏置（通常为 Class AB 工作模式）以实现最佳性能。不适用于低频开关电源或数字逻辑开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF19085LR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 18W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 850mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF19085LR3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商