Datasheet下载- 型号： MRF19045LSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF19045LSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF19045LSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF19045LSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF19045LSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF19045LSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF19045LSR5 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 功率晶体管，专为高频、高效率、高可靠性射频功率放大设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站：适用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站的末级功率放大器（PA），支持 1805–2200 MHz 频段（如 B1/B3/B7/B38/B40/B41 等），具备高增益（>18 dB）、高输出功率（典型 P3dB = 45 W）和高漏极效率（>60%），满足宏基站与小型基站（Small Cell）需求。 - 无线基础设施设备：用于中继器、分布式天线系统（DAS）、直放站及有源天线单元（AAU）中的射频功放模块，支持宽带连续波（CW）或复杂调制信号（如 OFDM、256-QAM）的线性放大。 - 工业与广播应用：适用于 UHF 频段的无线麦克风系统、数字电视（DTV）激励器、RF 加热/等离子体发生器等需稳定大功率射频输出的场景。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1222B），集成ESD保护，支持高结温（Tj ≤ 200°C）和优异的热稳定性，配合NXP推荐的匹配电路与偏置方案，可实现低失真、高ACLR性能，满足严苛的通信标准要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF19045LSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400S-240 |
| 功率-输出 | 45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | NI-400S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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