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- 型号： MRF18030ALSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF18030ALSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF18030ALSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF18030ALSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF18030ALSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF18030ALSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF18030ALSR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.4–2.5 GHz 频段设计，典型应用包括 Wi-Fi 6/6E（802.11ax）接入点、企业级无线路由器、小基站（Small Cell）及宽带无线通信设备中的末级功率放大器（PA）。其封装为无铅 SOT-1279（Air Cavity Package），具备高增益（典型15 dB）、高效率（典型60% @ 2.45 GHz）和优异的线性度，支持高阶调制（如1024-QAM），满足Wi-Fi 6/6E对高吞吐量与低EVM的严苛要求。该器件内置ESD保护，可直接驱动，简化外围电路；支持连续波（CW）与OFDM信号工作，适用于多用户MIMO系统中单通道或多通道PA模块。常见部署场景包括：室内高密度AP（如商场、体育馆）、工业物联网网关、固定无线接入（FWA）终端以及5G前传/回传辅助射频单元。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用，推荐工作电压为28 V，输出功率可达30 W（峰值）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF18030ALSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400S |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-400S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 250mA |
| 频率 | 1.81GHz |
| 额定电流 | 1µA |
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