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产品简介:
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Everspin Technologies 的 MR25H10MDFR 是一款 1Mb(128K × 8)的串行接口(SPI)非易失性自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)。其核心优势在于:高速读写(纳秒级写入延迟)、无限次擦写寿命、断电数据永久保持(≥20年)、宽温工作范围(–40°C 至 +125°C)及高抗辐射/抗干扰能力。 典型应用场景包括: 1. 工业自动化与PLC:作为程序/参数存储,替代EEPROM或Flash,在频繁掉电、振动、高温环境中确保关键配置即时保存且永不丢失; 2. 汽车电子:用于ADAS控制器、车载网关或BMS中存储实时校准数据、故障日志和安全配置,满足AEC-Q100 Grade 1可靠性要求; 3. 医疗设备:在便携式监护仪、植入式器械(外围控制模块)中保存患者设置与运行日志,避免电池备份依赖,提升系统安全性与简化设计; 4. 航天与军工:适用于高辐射、极端温度环境下的飞行控制、雷达信号缓存等,提供抗单粒子翻转(SEU)的可靠数据暂存; 5. 嵌入式系统启动存储:可直接XIP(eXecute-In-Place)执行代码,替代NOR Flash,实现毫秒级快速启动与零等待写入。 该器件采用8引脚SOIC封装,兼容标准SPI协议,易于集成于资源受限的嵌入式平台,特别适合对数据可靠性、写入速度和长期稳定性有严苛要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR25H10MDFR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-DFN-EP,小标志 (5x6) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | MRAM(磁阻 RAM) |
| 存储容量 | 1M (128K x 8) |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 接口 | SPI 串行 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 40MHz |