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产品简介:
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MR256A08BCYS35R 是 Everspin Technologies 推出的一款 256Kb(32KB)串行SPI接口的自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)。其核心优势在于:非易失性、高速读写(典型读/写时间≤35ns,支持最高40MHz SPI时钟)、无限次擦写、宽温工作(–40°C 至 +125°C)、抗辐射与高可靠性。 主要应用场景包括: 1. 工业自动化与PLC:在断电瞬间即时保存关键运行参数、I/O状态和故障日志,无需备用电池或电容,提升系统安全性与MTBF; 2. 汽车电子:用于ADAS控制器、车载网关及发动机控制单元(ECU),满足AEC-Q100 Grade 1认证,可靠记录事件数据(如碰撞前毫秒级传感器快照)、固件更新日志及配置信息; 3. 网络通信设备:在交换机、路由器中作为配置寄存器或小容量高速缓存,在热插拔或突发断电时确保配置零丢失; 4. 医疗设备:用于便携式监护仪、植入式设备外围模块,保障患者数据与校准参数在电源异常下不丢失,符合功能安全要求; 5. 航空航天与军工:凭借抗单粒子翻转(SEU)和宽温特性,适用于飞行控制、卫星载荷等高可靠性嵌入式系统中的关键状态存储。 该器件采用SOIC-8封装,引脚兼容部分EEPROM/FRAM,便于传统设计升级。其“写即持久”特性彻底消除传统闪存的擦除延迟与磨损问题,是替代EEPROM、NOR Flash及电池备份SRAM的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 256KBIT 35NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MR256A08BCYS35R |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 (10.2x18.4) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | MRAM(磁阻 RAM) |
| 存储容量 | 256K (32K x 8) |
| 封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |