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  • 型号: MR256A08BCYS35R
  • 制造商: EVERSPIN TECHNOLOGIES
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  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MR256A08BCYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR256A08BCYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR256A08BCYS35R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MR256A08BCYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MR256A08BCYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MR256A08BCYS35R 是 Everspin Technologies 推出的一款 256Kb(32KB)串行SPI接口的自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)。其核心优势在于:非易失性、高速读写(典型读/写时间≤35ns,支持最高40MHz SPI时钟)、无限次擦写、宽温工作(–40°C 至 +125°C)、抗辐射与高可靠性。

主要应用场景包括:  
1. 工业自动化与PLC:在断电瞬间即时保存关键运行参数、I/O状态和故障日志,无需备用电池或电容,提升系统安全性与MTBF;  
2. 汽车电子:用于ADAS控制器、车载网关及发动机控制单元(ECU),满足AEC-Q100 Grade 1认证,可靠记录事件数据(如碰撞前毫秒级传感器快照)、固件更新日志及配置信息;  
3. 网络通信设备:在交换机、路由器中作为配置寄存器或小容量高速缓存,在热插拔或突发断电时确保配置零丢失;  
4. 医疗设备:用于便携式监护仪、植入式设备外围模块,保障患者数据与校准参数在电源异常下不丢失,符合功能安全要求;  
5. 航空航天与军工:凭借抗单粒子翻转(SEU)和宽温特性,适用于飞行控制、卫星载荷等高可靠性嵌入式系统中的关键状态存储。

该器件采用SOIC-8封装,引脚兼容部分EEPROM/FRAM,便于传统设计升级。其“写即持久”特性彻底消除传统闪存的擦除延迟与磨损问题,是替代EEPROM、NOR Flash及电池备份SRAM的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC MRAM 256KBIT 35NS 44TSOP

产品分类

存储器

品牌

Everspin Technologies Inc

数据手册

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产品图片

产品型号

MR256A08BCYS35R

PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

44-TSOP2 (10.2x18.4)

包装

带卷 (TR)

存储器类型

MRAM(磁阻 RAM)

存储容量

256K (32K x 8)

封装/外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

工作温度

-40°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

3 V ~ 3.6 V

速度

35ns

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