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  • 型号: MPS6601RLRA
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MPS6601RLRA由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPS6601RLRA价格参考。ON SemiconductorMPS6601RLRA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MPS6601RLRA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPS6601RLRA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MPS6601RLRA 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款通用NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23小型表面贴装封装,具有高增益(hFE典型值100–300)、低饱和压降(VCE(sat)约0.15V @ IC=10mA)、快速开关特性(tf < 10ns)及良好的温度稳定性。

其典型应用场景包括:  
1. 小信号开关:常用于微控制器I/O口驱动LED、继电器线圈、蜂鸣器或小功率MOSFET栅极,实现电平转换与负载控制;  
2. 信号放大:在便携式设备(如传感器前端、音频前置放大、红外接收电路)中作低噪声、中低频(fT≈250MHz)小信号放大;  
3. 逻辑接口与电平移位:兼容TTL/CMOS电平,在不同电压域(如3.3V MCU控制5V外设)间提供简单可靠的有源拉高/反相缓冲;  
4. 电源管理辅助电路:用于LDO使能控制、充电指示、电池电压检测的分立比较器输入级或基准偏置电路。  

该器件因体积小、成本低、可靠性高,广泛应用于消费电子(遥控器、耳机、智能穿戴)、工业控制(PLC模块、传感器节点)、汽车电子(车身控制中的非安全相关信号调理)等对尺寸和功耗敏感的场景。注意其最大集电极电流IC仅为200mA,不适用于大功率驱动,设计时需合理选配基极限流电阻并留足裕量。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN GP BIPO 25V TO-92

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MPS6601RLRA

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 100mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

50 @ 500mA,1V

供应商器件封装

TO-92-3

功率-最大值

625mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

晶体管类型

NPN

标准包装

2,000

电压-集射极击穿(最大值)

25V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

频率-跃迁

100MHz

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