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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MPLAD6.5KP22AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD6.5KP22AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD6.5KP22AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD6.5KP22AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD6.5KP22AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD6.5KP22AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD6.5KP22AE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高功率瞬态电压抑制二极管（TVS），属于MPLAD系列，采用轴向引线DO-204AR（DO-27）封装。其击穿电压典型值为22V（VBR min ≈ 24.4V，max ≈ 26.9V），峰值脉冲功率达6500W（10/1000μs波形），钳位电压约35.5V（IPP=183A时），具备优异的浪涌防护能力。 典型应用场景包括： - 工业电源系统：用于保护PLC、变频器、DC-DC模块等免受雷击感应浪涌或开关噪声引起的高压瞬变； - 通信设备接口：如RS-485/RS-232总线、CAN总线端口，提供IEC 61000-4-5 Level 4（4kV/2Ω）等级的浪涌防护； - 铁路与能源基础设施：在信号采集单元、轨旁控制设备中，抵御牵引系统电磁干扰及电网切换过电压； - 军用/高可靠性系统：凭借符合MIL-STD-750和JESD22标准的可靠性和宽温工作范围（–65°C 至 +175°C），适用于恶劣环境下的电源输入级或敏感IC前端保护。 该器件特别适合需承受大能量、高重复性瞬态冲击的应用，常与保险丝、共模电感协同构成多级防护方案，确保后端MCU、传感器或接口芯片的安全运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 22VWM 35.5VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/129479-rf01083 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD6.5KP22AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7573 |
| 功率-峰值脉冲 | 6500W （6.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 24.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 22V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 35.5V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 183A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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