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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MPLAD6.5KP20AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD6.5KP20AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD6.5KP20AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD6.5KP20AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD6.5KP20AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD6.5KP20AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD6.5KP20AE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高功率瞬态电压抑制二极管（TVS），属于单向TVS，标称击穿电压为20V（VBR ≈ 20V），峰值脉冲功率达6500W（10/1000μs波形），封装为大功率DO-218AB。 其典型应用场景包括： - 工业电源与电机驱动系统：用于保护DC总线、变频器控制板、PLC模块等免受开关浪涌、电感负载关断产生的反向高压尖峰（如继电器/接触器断开时的L·di/dt尖峰）。 - 通信设备供电接口：在RS-485、CAN总线或以太网供电（PoE）前端，配合共模扼流圈及气体放电管（GDT），构成多级防护，吸收雷击感应浪涌（IEC 61000-4-5 Level 3/4）。 - 轨道交通与能源系统：适用于列车辅助电源、光伏逆变器直流侧输入端，抵御电网波动、地电位抬升及操作过电压。 - 严苛环境电子模块：凭借AEC-Q200兼容设计（E3后缀表示符合汽车级可靠性标准）、宽工作温度范围（–65°C 至 +175°C）及高可靠性，可用于车载充电机（OBC）、电池管理系统（BMS）的高压采样/驱动电路静电与浪涌防护。 该器件强调高鲁棒性与快速响应（<1ns），适用于需承受重复性大能量瞬变的中高压直流系统，但需注意其单向特性，须确保工作电压极性稳定，避免反向漏电流累积发热。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 20VWM 32.4VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/129479-rf01083 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD6.5KP20AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7569 |
| 功率-峰值脉冲 | 6500W （6.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 22.2V |
| 电压-反向关态（典型值） | 20V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 32.4V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 202A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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