Datasheet下载- 型号： MPLAD6.5KP17AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD6.5KP17AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD6.5KP17AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD6.5KP17AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD6.5KP17AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD6.5KP17AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD6.5KP17AE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高功率瞬态电压抑制二极管（TVS），属于单向TVS二极管，标称击穿电压为17V，峰值脉冲功率达6500W（10/1000μs波形），适用于严苛的浪涌防护场景。 其典型应用场景包括： - 工业电源与控制系统：用于保护PLC、DC/DC转换器、电机驱动器等设备的直流输入端口，抵御雷击感应浪涌或开关噪声引起的高压瞬变。 - 通信设备接口：在RS-485、CAN总线或以太网供电（PoE）前端电路中，配合共模扼流圈提供差分/共模浪涌防护（需注意其单向特性，须确保工作电压极性匹配）。 - 交通运输电子系统：如车载信息娱乐系统、轨道车辆控制单元的12V/24V电源轨，满足ISO 7637-2/IEC 61000-4-5 Level 4抗扰度要求。 - 可再生能源设备：光伏逆变器直流侧输入端，防护雷电或电网切换引发的反向过压（因其单向结构，仅适用于正向偏置且无负压风险的电路）。 该器件采用DO-218AB封装，具备低钳位电压（约27.6V @ IPP）、快速响应（<1ns）及高可靠性，但需注意：必须串联限流电阻或配合保险丝使用，并严格避免反向持续电压超过VRWM（13.6V），否则可能引发误导通或失效。设计时应结合IEC 61000-4-5标准进行PCB布局优化（短路径、低寄生电感）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 17VWM 27.6VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/129479-rf01083 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD6.5KP17AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7561 |
| 功率-峰值脉冲 | 6500W （6.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 18.9V |
| 电压-反向关态（典型值） | 17V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 27.6V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 236A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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