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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MPLAD6.5KP12AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD6.5KP12AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD6.5KP12AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD6.5KP12AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD6.5KP12AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD6.5KP12AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD6.5KP12AE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高功率瞬态电压抑制二极管（TVS），属于单向TVS，击穿电压标称值为12V（VBR ≈ 12V），峰值脉冲功率达6500W（6.5kW），适用于严苛的浪涌防护场景。 其典型应用场景包括： - 工业控制系统：保护PLC输入/输出端口、现场总线接口（如RS-485、CAN）免受雷击感应浪涌或开关噪声引起的高压瞬变； - 电源系统：用于DC输入端（如12V供电母线）的过压防护，防止电源反接、负载突卸或电感性负载关断产生的反向尖峰； - 通信设备：在基站电源模块、光模块供电侧提供IEC 61000-4-5 Level 4（4kV/2Ω耦合）等级的浪涌防护； - 交通运输电子：车载信息娱乐系统、ECU电源输入端，满足AEC-Q101可靠性要求（该型号具备AEC-Q101认证版本，E3后缀代表符合JEDEC标准的环保封装与可追溯性）； - 医疗与仪器仪表：保障敏感模拟前端（如传感器供电、ADC参考电压路径）不受ESD（>30kV接触放电）及EFT干扰。 该器件采用DO-218AB封装，具有低钳位电压（VC ≈ 19.9V @ IPP=327A）、快速响应（<1ps）和优异的重复浪涌耐受能力，特别适合需承受多次大能量冲击的高可靠性应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 19.9VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/129479-rf01083 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD6.5KP12AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7525 |
| 功率-峰值脉冲 | 6500W （6.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 13.3V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 19.9V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 327A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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