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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MPLAD6.5KP10AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD6.5KP10AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD6.5KP10AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD6.5KP10AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD6.5KP10AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD6.5KP10AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD6.5KP10AE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高功率瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于MPLAD系列，采用轴向引线DO-204AR（即DO-27）封装，具有6500W峰值脉冲功率（10/1000μs波形）、反向截止电压10V（Vrwm）、击穿电压典型值11.1V（Vbr），箝位电压约16.7V（Ipp=390A时），响应时间小于1ns。 其主要应用场景包括： - 工业电源与电机驱动系统：用于保护PLC、变频器、继电器控制模块等免受雷击浪涌、开关噪声及感性负载关断产生的高压尖峰干扰； - 通信设备接口防护：如RS-232/485、CAN总线、以太网供电（PoE）前端，防止静电放电（ESD）和EFT（电快速瞬变脉冲群）损坏后级IC； - 交通运输电子系统：车载ECU、轨道信号设备中，应对汽车抛负载（Load Dump）及ISO 7637-2/IEC 61000-4-5标准规定的浪涌冲击； - 医疗与仪器仪表电源输入端：为敏感模拟电路提供二级过压防护，配合保险丝或PTC实现可靠失效安全设计。 该器件具备AEC-Q200兼容性（E3后缀表示符合汽车级可靠性要求），适用于对鲁棒性、长期稳定性要求较高的严苛环境。需注意其较大封装尺寸和热耗散特性，建议合理布局散热路径并避免连续重复浪涌。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 10VWM 17VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/129479-rf01083 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD6.5KP10AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7509 |
| 功率-峰值脉冲 | 6500W （6.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 11.1V |
| 电压-反向关态（典型值） | 10V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 17V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 383A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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