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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MPLAD30KP20CA
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD30KP20CA由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD30KP20CA价格参考。MICRO-SEMIMPLAD30KP20CA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD30KP20CA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD30KP20CA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD30KP20CA 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高能量、双向瞬态电压抑制二极管（TVS），属于大功率TVS - 二极管类别。其核心参数包括：反向击穿电压约20V（VBR）、钳位电压约32.4V（IPP=856A时）、峰值脉冲功率高达30kW（10/1000μs波形），并具备低箝位比和快速响应（<1ns）。 典型应用场景包括： - 工业电源系统：用于保护PLC、变频器、DC/DC模块等免受雷击感应浪涌、开关噪声及负载突变引起的高压瞬变； - 通信基础设施：在基站电源端口、PoE供电设备、光纤收发模块中，防护以太网端口或直流馈电线路的EFT（电快速瞬变）与雷击浪涌； - 轨道交通与能源系统：适用于牵引控制单元、光伏逆变器直流侧、风力发电变流器等严苛环境，应对高能重复性浪涌； - 军工与航空航天电子：满足MIL-STD-1275、DO-160等标准对车载/机载电源输入端的浪涌防护要求（如20V系统下承受±30kW级浪涌）。 该器件采用DO-218AB封装，具有高可靠性、低漏电流及优异的温度稳定性，特别适合需在20V标称系统中提供强健、免维护过压保护的关键节点。注意：须配合合理PCB布局（短路径、低电感接地）及前端限流措施（如保险丝/PTC），以确保整体防护有效性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 20VWM 34VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9523-mplad30kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD30KP20CA |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7394 |
| 功率-峰值脉冲 | 30000W （30kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 22.2V |
| 电压-反向关态（典型值） | 20V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 34V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 882A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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