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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MPLAD30KP17CAE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD30KP17CAE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD30KP17CAE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD30KP17CAE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD30KP17CAE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD30KP17CAE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD30KP17CAE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高能量TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于MPLAD系列，采用DO-218AB封装。其关键参数包括：反向 standoff 电压为17V（双向，即±17V），击穿电压典型值约19.5V，峰值脉冲功率高达30kW（10/1000μs波形），峰值脉冲电流可达~1200A。 该器件主要应用于需承受极端瞬态浪涌（如雷击感应、开关噪声、ESD及EFT）的中高功率系统中。典型应用场景包括： - 工业自动化设备中的PLC I/O端口、现场总线（如Profibus、CAN总线）接口保护； - 通信基站电源输入级或射频前端的二级过压防护； - 铁路信号系统、智能电表、太阳能逆变器直流侧（PV输入端）的雷击浪涌防护（常与GDT或压敏电阻配合构成多级防护）； - 军工/航空航天领域中对高可靠性、宽温域（-55°C ~ +175°C）、抗辐射性能有要求的电源与信号线路保护。 其双向结构适用于交流或双极性信号线路，DO-218AB封装具备低钳位阻抗和优异散热能力，适合大电流冲击场景。需注意：该器件为粗保护器件，通常需配合前端GDT及后端TVS/ESD器件实现分级协同防护，不可单独用于敏感IC直接保护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 17VWM 28.8VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9523-mplad30kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD30KP17CAE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7379 |
| 功率-峰值脉冲 | 30000W （30kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 18.9V |
| 电压-反向关态（典型值） | 17V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 28.8V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1041A （1.041kA） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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