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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MPLAD15KP8.5AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD15KP8.5AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD15KP8.5AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD15KP8.5AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD15KP8.5AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD15KP8.5AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD15KP8.5AE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高功率瞬态电压抑制二极管（TVS），属于MPLAD系列，专为极端浪涌防护设计。其关键参数包括：反向关断电压（VWM）为8.5 V，峰值脉冲功率达15 kW（10/1000 μs波形），峰值脉冲电流（IPP）高达约1,200 A，响应时间小于1 ns。 典型应用场景包括： - 工业控制系统：保护PLC输入/输出端口、传感器接口及现场总线（如RS-485、CAN）免受雷击感应浪涌或开关噪声影响； - 通信设备电源入口：用于基站电源、PoE供电交换机或光模块前端，吸收AC/DC电源侧的高压浪涌（如IEC 61000-4-5 Level 4）； - 交通运输电子：车载信息娱乐系统、轨道车辆控制单元中，防护因负载突降（Load Dump）或抛负载引发的高压尖峰； - 医疗设备外围接口：保障ECG、超声等设备的信号端口在电磁兼容（EMC）测试及实际使用中免受静电放电（ESD）和浪涌冲击。 该器件采用DO-218AB封装，具备低钳位电压与高可靠性，适用于需承受重复大能量冲击的严苛环境。注意：须配合合理PCB布局（短而宽的走线、就近接地）及前级限流措施（如保险丝或PTC），以发挥最佳保护效能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9522-mplad15kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD15KP8.5AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7321 |
| 功率-峰值脉冲 | 15000W （15kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 9.44V |
| 电压-反向关态（典型值） | 8.5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 14.4V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1041A （1.041kA） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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