Datasheet下载- 型号： MPLAD15KP22AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD15KP22AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD15KP22AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD15KP22AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD15KP22AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD15KP22AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD15KP22AE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高功率瞬态电压抑制二极管（TVS），属于MPLAD系列，额定峰值脉冲功率达15 kW，击穿电压典型值为22 V（VBR = 20.9–24.2 V），钳位电压约33.2 V（在IPP ≈ 452 A时）。其主要应用场景包括： - 工业电源与电机驱动系统：用于保护DC/DC转换器、PLC模块、变频器控制电路等免受雷击感应浪涌、开关噪声及负载突变引起的高压瞬变冲击。 - 通信基础设施：适用于基站电源输入端、以太网供电（PoE++）接口、RS-485/RS-232总线端口，提供IEC 61000-4-5 Level 4（4 kV/2 kA）等级的浪涌防护。 - 交通运输电子：在轨道交通控制单元、车载充电机（OBC）、电池管理系统（BMS）中，抵御车辆启停、继电器切换或电磁兼容（EMC）测试中的重复性高压脉冲。 - 可再生能源设备：光伏逆变器直流侧输入端、风力发电变流器控制板，抑制雷电耦合或电网扰动导致的瞬态过压。 该器件采用轴向引线DO-218AB封装，具备低箝位比、快速响应（<1 ns）和高可靠性，特别适合需承受高能量（10/1000 µs波形）冲击且空间受限的严苛工业环境。注意：实际应用中需配合保险丝或PTC进行过流协同保护，并确保PCB布局短而宽以降低寄生电感，充分发挥其防护性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 22VWM 35.5VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9522-mplad15kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD15KP22AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7233 |
| 功率-峰值脉冲 | 15000W （15kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 24.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 22V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 35.5V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 423A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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